
Samsung представляет инновационную оперативную память LPDDR5X с рекордной частотой 10,7 ГГц. Эти микросхемы, произведённые по 12-нанометровому техпроцессу, являются самыми компактными в своём классе. Новая память превосходит предыдущее поколение на 25% в производительности и на 30% в ёмкости, достигая максимального объёма 32 ГБ на модуль.
Эти характеристики особенно важны для развития сферы искусственного интеллекта. Старт массового производства запланирован на вторую половину года.
.


























