Samsung подписала соглашение с AMD на сумму 3 миллиарда долларов по поставке инновационной памяти HBM3e, выпуск которой начнётся в ближайшее время. Новая 12-слойная память HBM3e от Samsung увеличит пропускную способность и объём данных на 50% по сравнению с текущими решениями.
Этот контракт имеет ключевое значение как для Samsung, так и для AMD, которая значительно укрепит свои позиции на рынке ускорителей для ИИ.
.
Читайте также:
-
Samsung готовится к анонсу чипов памяти GDDR7
-
Названа дата анонса скоростной памяти UFS 5.0 от…
-
Samsung представила самую быструю оперативную память…
-
Samsung представит память GDDR7 на выставке ISSCC…
-
Таким будет новый монстр автономности от Samsung.…
-
На рынке обнаружены поддельные SSD Samsung 1080 Pro
