В Корее разработали недорогой накопитель со скоростью оперативной памяти.

Корейские исследователи разработали новые чипы памяти, сочетающие скорость DRAM и способность NAND по хранению данных без электричества. При этом в отличие от представленных ранее аналогов, необычные модули обещают быть недорогими в производстве. Портал Extremetech опубликовал первые подробности о перспективной технологии.
Исследование, посвящённое новой памяти, было опубликовано в журнале Nature. Его авторы — команда сотрудников Корейского передового института науки и технологий (KAIST). Их разработка основана на базе уже известной технологии PCM — памяти с фазовым переходом. Ранее Intel выпустила потребительскую память X-Point Optane на основе PCM, но позже её сняли с продаж из-за дороговизны производства и сложности в изменении конфигурации.
Новая память в теории обходится дешевле и в 15 раз более энергоэффективна, но по-прежнему сочетает скорость ОЗУ и возможности NAND-ячеек. Такой прогресс в энергопотреблении объясняется тем, что исследователи интегрировали в прототип 5-нм чипы (ранее использовалось 40-нм решение), а экономия на производстве достигается с помощью новой технологии, которая не требует дорогой литографии.
Затраты на массовое производство памяти учёные оценивают как «разумные». Есть вероятность, что на исследование обратят внимание крупные корпорации, и в дальнейшем профинансируют разработку и массовый выпуск модулей нового типа.

.